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HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

HSG1002VE-TL-E

RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN

nicht konform

HSG1002VE-TL-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.39000 $0.39
500 $0.3861 $193.05
1000 $0.3822 $382.2
1500 $0.3783 $567.45
2000 $0.3744 $748.8
2500 $0.3705 $926.25
519687 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 3.5V
Frequenz - Übergang 38GHz
Rauschmaß (db typ @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
gewinnen 8dB ~ 19.5dB
Leistung - max. 200mW
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (ic) (max) 35mA
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket 4-MFPAK
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Zugehörige Teilenummer

BFG310/XR,215
BFG310/XR,215
$0 $/Stück
NE68139-T1-A
NE68139-T1-A
$0 $/Stück
NTE78
NTE78
$0 $/Stück
BF494
BF494
$0 $/Stück
BFU550XRVL
BFU550XRVL
$0 $/Stück
BFP420H6801
BFU520WX
BFU520WX
$0 $/Stück

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