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NP50P06KDG-E1-AY

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MOSFET P-CH 60V 50A TO263

nicht konform

NP50P06KDG-E1-AY Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.54000 $2.54
500 $2.5146 $1257.3
1000 $2.4892 $2489.2
1500 $2.4638 $3695.7
2000 $2.4384 $4876.8
2500 $2.413 $6032.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5000 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C456NLWFAFT1G
NVMFS5C456NLWFAFT1G
$0 $/Stück
FQU2N90TU
IRLR6225TRPBF
RSU002P03T106
FQP33N10
FQP33N10
$0 $/Stück
SIHP17N80E-BE3
IRFB3004PBF

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