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RJK03E0DNS-00#J5

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK03E0DNS-00#J5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
140000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.2 nC @ 4.5 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3050 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HWSON (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

RFM6P10
RFM6P10
$0 $/Stück
DMTH8028LFVWQ-7
NILMS4501NR2
NILMS4501NR2
$0 $/Stück
DMN4036LK3Q-13
SQD50P08-28-T4_GE3
NP34N055SLE-E1-AY
NP34N055SLE-E1-AY
$0 $/Stück
TP65H050G4WS
TP65H050G4WS
$0 $/Stück
DMT3020LFDFQ-13
DMTH8008LFG-7

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