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RJK1002DPN-A0#T2

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MOSFET N-CH 100V 70A TO220ABA

nicht konform

RJK1002DPN-A0#T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.58000 $4.58
500 $4.5342 $2267.1
1000 $4.4884 $4488.4
1500 $4.4426 $6663.9
2000 $4.3968 $8793.6
2500 $4.351 $10877.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 94 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6450 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220ABA
Paket / Koffer TO-220-3
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