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SI7434DP-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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SI7434DP-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.47579 -
6,000 $1.42458 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 155mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4C024NT1G
NTMFS4C024NT1G
$0 $/Stück
SFS9Z24
PMZB600UNEYL
IXFN180N25T
IXFN180N25T
$0 $/Stück
SIRA58ADP-T1-RE3
BSS138Q-7-F
IRF9640SPBF
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$0 $/Stück

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