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SIRA58ADP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

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SIRA58ADP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.56465 -
6,000 $0.53814 -
15,000 $0.51920 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3030 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

BSS138Q-7-F
IRF9640SPBF
IRF9640SPBF
$0 $/Stück
SIHH20N50E-T1-GE3
IRFR020TRPBF
IRFR020TRPBF
$0 $/Stück
FDP19N40
FDP19N40
$0 $/Stück
SI3433CDV-T1-E3

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