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IXFN180N25T

IXFN180N25T

IXFN180N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B

IXFN180N25T Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN180N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $18.70000 $18.7
10 $17.00000 $170
30 $15.72500 $471.75
100 $14.45000 $1445
250 $13.17500 $3293.75
500 $12.32500 $6162.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 168A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 345 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 28000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SIRA58ADP-T1-RE3
BSS138Q-7-F
IRF9640SPBF
IRF9640SPBF
$0 $/Stück
SIHH20N50E-T1-GE3
IRFR020TRPBF
IRFR020TRPBF
$0 $/Stück
FDP19N40
FDP19N40
$0 $/Stück

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