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RJK1576DPA-00#J5A

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MOSFET N-CH 150V 25A WPAK

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 58mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket WPAK(3F) (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SI7686DP-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3
SUD35N10-26P-GE3
FCH104N60F-F085
FCH104N60F-F085
$0 $/Stück
DMP2023UFDF-7
DMN21D2UFB-7
FDMC86520L
FDMC86520L
$0 $/Stück

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