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RJK5013DPE-00#J3

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MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 465mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LDPAK
Paket / Koffer SC-83
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6B14NLT1G
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PMV20XNE215
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FDB12N50UTM_WS
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FQP90N10V2
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NTF5P03T3
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2SK3746-1E
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IXTP6N50P
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