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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 130A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 1.82mOhm @ 39A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | - |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 257 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 10850 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta), 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-HVSON (5x5.4) |
Paket / Koffer | 8-PowerVDFN |
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