Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STP3NK90Z

STP3NK90Z

STP3NK90Z

MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

STP3NK90Z Technisches Datenblatt

nicht konform

STP3NK90Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.90000 $1.9
50 $1.53060 $76.53
100 $1.37760 $137.76
500 $1.07146 $535.73
1,000 $0.88778 -
2,500 $0.82655 -
5,000 $0.79594 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDMC8015L
FDMC8015L
$0 $/Stück
IRFIBE20GPBF
IRFIBE20GPBF
$0 $/Stück
NTD5N50T4
NTD5N50T4
$0 $/Stück
STP13N80K5
STP13N80K5
$0 $/Stück
SI4431CDY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3
IXTR90P20P
IXTR90P20P
$0 $/Stück
SIR662DP-T1-GE3
FDB4030L

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.