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HP8S36TB

HP8S36TB

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

HP8S36TB Technisches Datenblatt

compliant

HP8S36TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.58800 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A, 80A
rds ein (max) @ id, vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6100pF @ 15V
Leistung - max. 29W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
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Zugehörige Teilenummer

SI7940DP-T1-GE3
SI4200DY-T1-GE3
SI6966EDQ-T1-E3
SI4388DY-T1-GE3
SI1553DL-T1-GE3
ZDM4306NTC
SH8M14TB1
SH8M14TB1
$0 $/Stück
IRF9952QTRPBF

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