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HS8K1TB

HS8K1TB

HS8K1TB

30V NCH+NCH POWER MOSFET

HS8K1TB Technisches Datenblatt

compliant

HS8K1TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
4480 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 11A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 348pF @ 15V, 429pF @ 15V
Leistung - max. 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket HSML3030L10
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Zugehörige Teilenummer

DMG8601UFG-7
SI3590DV-T1-E3
VT6M1T2CR
VT6M1T2CR
$0 $/Stück
BUK9K5R1-30EX
QH8KC5TCR
QH8KC5TCR
$0 $/Stück
DMP2110UVT-13
IRF9956TRPBF
SPA15N65C3
IRF7316GTRPBF

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