Welcome to ichome.com!

logo
Heim

QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

QH8MA3TCR

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8

QH8MA3TCR Technisches Datenblatt

nicht konform

QH8MA3TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24940 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A, 5.5A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.2nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300pF @ 15V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIZ348DT-T1-GE3
6LP04CH-TL-E-SY
6LP04CH-TL-E-SY
$0 $/Stück
NVMFD5C446NWFT1G
NVMFD5C446NWFT1G
$0 $/Stück
SI4214DDY-T1-E3
NVMD6N03R2G
NVMD6N03R2G
$0 $/Stück
2N7002KDW-TP
SP8M10FRATB
AUIRF7342QTR

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.