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QS6K1TR

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MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

QS6K1TR Technisches Datenblatt

nicht konform

QS6K1TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21750 -
1273 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A
rds ein (max) @ id, vgs 238mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 77pF @ 10V
Leistung - max. 1.25W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket TSMT6 (SC-95)
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Zugehörige Teilenummer

NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G
$0 $/Stück
DMN2005DLP4K-7
APTM100H45SCTG
SQJQ910EL-T1_GE3
DMP2200UDW-7
SI7956DP-T1-E3
FDW2511NZ
APTM120H29FG
CPH6339-TL-E
CPH6339-TL-E
$0 $/Stück

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