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QS8K13TCR

QS8K13TCR

QS8K13TCR

MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8

SOT-23

QS8K13TCR Technisches Datenblatt

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QS8K13TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47180 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 390pF @ 10V
Leistung - max. 550mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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