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SQ4532AEY-T1_GE3

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SQ4532AEY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC

nicht konform

SQ4532AEY-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.35340 -
5,000 $0.33060 -
12,500 $0.31920 -
25,000 $0.30780 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Leistung - max. 3.3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SH8J66TB1
SH8J66TB1
$0 $/Stück
SI1902CDL-T1-GE3
BUK9K29-100E,115
IRF7304TRPBF
PMDPB30XNZ
PMDPB30XNZ
$0 $/Stück
BSM300D12P2E001
SI7942DP-T1-GE3
DMTH4007SPD-13
IRFN214BTA

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