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QS8M11TCR

QS8M11TCR

QS8M11TCR

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

QS8M11TCR Technisches Datenblatt

compliant

QS8M11TCR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.28710 -
1590 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket TSMT8
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Zugehörige Teilenummer

FDMS9620S
FDMS9620S
$0 $/Stück
NVMFD5852NLWFT1G
NVMFD5852NLWFT1G
$0 $/Stück
SH8JC5TB1
SH8JC5TB1
$0 $/Stück
SI1029X-T1-GE3
DMT3020LFDBQ-13
2N7002PSZ
2N7002PSZ
$0 $/Stück
SIA537EDJ-T1-GE3

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