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R5009ANX

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MOSFET N-CH 500V 9A TO220

R5009ANX Technisches Datenblatt

nicht konform

R5009ANX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.49000 $1.49
10 $1.32800 $13.28
100 $1.03500 $103.5
500 $0.85500 $427.5
1,000 $0.67500 -
2,500 $0.63000 -
485 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 720mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXFP102N15T
IXFP102N15T
$0 $/Stück
RM2312
RM2312
$0 $/Stück
IXFT40N85XHV
IXFT40N85XHV
$0 $/Stück
BUK7Y12-100EX
DMN3066LQ-13
DMN2015UFDE-7
APT34M60S/TR
STP2N80K5
STP2N80K5
$0 $/Stück

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