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STP2N80K5

STP2N80K5

STP2N80K5

MOSFET N-CH 800V 2A TO220

STP2N80K5 Technisches Datenblatt

compliant

STP2N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.77850 -
1699 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3 nC @ 10 V
vgs (max) 30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 95 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFP22N50APBF
NTP082N65S3HF
NTP082N65S3HF
$0 $/Stück
NVTFS4C10NWFTAG
NVTFS4C10NWFTAG
$0 $/Stück
SQ3410EV-T1_GE3
STP360N4F6
STP360N4F6
$0 $/Stück
FDU6696
NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H
$0 $/Stück

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