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STP360N4F6

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MOSFET N-CH 40V 120A TO220

STP360N4F6 Technisches Datenblatt

nicht konform

STP360N4F6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.02000 $4.02
12 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 340 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 17930 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDU6696
NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H
$0 $/Stück
STB21NM60ND
FDPF12N50T
FDPF12N50T
$0 $/Stück
STN3N45K3
STN3N45K3
$0 $/Stück
FQU1N60CTU
FQU1N60CTU
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