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R5019ANJTL

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MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

R5019ANJTL Technisches Datenblatt

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R5019ANJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.01000 -
1000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

RM60N30DF
RM60N30DF
$0 $/Stück
AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/Stück
FQI4P40TU
JDX5005
JDX5005
$0 $/Stück

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