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R6004JNJGTL

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MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

R6004JNJGTL Technisches Datenblatt

nicht konform

R6004JNJGTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.34000 $2.34
500 $2.3166 $1158.3
1000 $2.2932 $2293.2
1500 $2.2698 $3404.7
2000 $2.2464 $4492.8
2500 $2.223 $5557.5
1095 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 1.43Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 450µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDN357N
FDN357N
$0 $/Stück
IXFP24N60X
IXFP24N60X
$0 $/Stück
NTMFS08N003C
NTMFS08N003C
$0 $/Stück
IXFP36N30P3
IXFP36N30P3
$0 $/Stück
IXFH50N50P3
IXFH50N50P3
$0 $/Stück
STP45N60DM2AG
NTMFS4937NCT3G
NTMFS4937NCT3G
$0 $/Stück

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