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R6007KNX

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MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

R6007KNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6007KNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.68000 $1.68
10 $1.51100 $15.11
100 $1.21410 $121.41
500 $0.99750 $498.75
1,000 $0.82650 -
2,500 $0.79800 -
442 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 470 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PSMN0R9-25YLC,115
IXFH230N10T
IXFH230N10T
$0 $/Stück
DN1509K1-G
IRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF
$0 $/Stück
STP7N80K5
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$0 $/Stück
IRLI540GPBF
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$0 $/Stück
SQD15N06-42L_GE3
ZXMN6A11GTA
SIHG47N60AEF-GE3
HUF75545P3
HUF75545P3
$0 $/Stück

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