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R6008FNX

R6008FNX

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MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM

SOT-23

R6008FNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6008FNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.31000 $3.31
10 $2.97500 $29.75
100 $2.43750 $243.75
500 $2.07500 $1037.5
1,000 $1.75000 -
777 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 950mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 580 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RS3E075ATTB1
NTP125N65S3H
NTP125N65S3H
$0 $/Stück
IPS50R520CP
SIR5802DP-T1-RE3
NTB23N03R
NTB23N03R
$0 $/Stück
PMZ370UNEYL
PMZ370UNEYL
$0 $/Stück
DMT6017LFDF-7
IXTA15N50L2-TRL
IXTA15N50L2-TRL
$0 $/Stück
DN2540N5-G

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