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PMZ370UNEYL

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MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3

PMZ370UNEYL Technisches Datenblatt

nicht konform

PMZ370UNEYL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.05896 -
30,000 $0.05528 -
50,000 $0.04901 -
100,000 $0.04791 -
19727 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 900mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 490mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.05V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.16 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 78 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883
Paket / Koffer SC-101, SOT-883
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Zugehörige Teilenummer

DMT6017LFDF-7
IXTA15N50L2-TRL
IXTA15N50L2-TRL
$0 $/Stück
DN2540N5-G
SI7230DN-T1-GE3
FDFMA2P853
IXTH36P15P
IXTH36P15P
$0 $/Stück
IRF530A
IRF530A
$0 $/Stück
NVD4804NT4G
NVD4804NT4G
$0 $/Stück
BUK724R5-30C118
BUK724R5-30C118
$0 $/Stück
IRF710PBF
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$0 $/Stück

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