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R6009ENX

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MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM

R6009ENX Technisches Datenblatt

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R6009ENX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.94000 $2.94
10 $2.64200 $26.42
100 $2.16450 $216.45
500 $1.84260 $921.3
1,000 $1.55400 -
400 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 430 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQAF19N60
RS1E260ATTB1
NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E
$0 $/Stück
NTGS3441T1
NTGS3441T1
$0 $/Stück
IXTA180N10T-TRL
IXTA180N10T-TRL
$0 $/Stück
MSC040SMA120J
NVMYS2D1N04CLTWG
NVMYS2D1N04CLTWG
$0 $/Stück

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