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R6009JNJGTL

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MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

R6009JNJGTL Technisches Datenblatt

compliant

R6009JNJGTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.05000 $3.05
500 $3.0195 $1509.75
1000 $2.989 $2989
1500 $2.9585 $4437.75
2000 $2.928 $5856
2500 $2.8975 $7243.75
1040 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 1.38mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 645 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS6H836NLWFT1G
NVMFS6H836NLWFT1G
$0 $/Stück
APT60M80L2VRG
IXTT110N10L2
IXTT110N10L2
$0 $/Stück
RM150N100T2
RM150N100T2
$0 $/Stück
IRF3710PBF
FDU8586
PSMN1R5-50YLHX

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