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R6012JNJGTL

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R6012JNJGTL

MOSFET N-CH 600V 12A LPTS

R6012JNJGTL Technisches Datenblatt

compliant

R6012JNJGTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.62000 $3.62
500 $3.5838 $1791.9
1000 $3.5476 $3547.6
1500 $3.5114 $5267.1
2000 $3.4752 $6950.4
2500 $3.439 $8597.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 6A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

R6020KNJTL
R6020KNJTL
$0 $/Stück
CSD16401Q5T
CSD16401Q5T
$0 $/Stück
R6014YNXC7G
IXFN70N100X
IXFN70N100X
$0 $/Stück
FQU11P06TU
FQU11P06TU
$0 $/Stück
SQM60N20-35_GE3
BUK9Y19-100E,115
SIHH068N60E-T1-GE3

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