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R6015FNX

R6015FNX

R6015FNX

MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

R6015FNX Technisches Datenblatt

compliant

R6015FNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.64000 $5.64
10 $5.06900 $50.69
100 $4.15350 $415.35
500 $3.53580 $1767.9
1,000 $2.98200 -
698 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1660 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI7431DP-T1-E3
SQJ860EP-T1_GE3
STF12N120K5
SI7460DP-T1-E3
DI9942T
DI9942T
$0 $/Stück
NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
$0 $/Stück

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