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R6020FNX

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MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

R6020FNX Technisches Datenblatt

nicht konform

R6020FNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.59000 $6.59
10 $5.95600 $59.56
100 $4.93060 $493.06
500 $4.29350 $2146.75
1,000 $3.87800 -
497 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G
$0 $/Stück
RMA4N60092
RMA4N60092
$0 $/Stück
SQS484EN-T1_GE3
SI1427EDH-T1-BE3
SFT1450-TL-H
SFT1450-TL-H
$0 $/Stück
FDD2612
DMN63D8L-13
NTBLS4D0N15MC
NTBLS4D0N15MC
$0 $/Stück
R6015ANX
R6015ANX
$0 $/Stück

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