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R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

R6030KNZ1C9 Technisches Datenblatt

compliant

R6030KNZ1C9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.37000 $3.37
30 $2.85767 $85.7301
120 $2.47650 $297.18
510 $2.10820 $1075.182
1,020 $1.77800 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 305W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STB15N65M5
STB15N65M5
$0 $/Stück
ZVN0124ASTOA
NTMFS4833NST3G
NTMFS4833NST3G
$0 $/Stück
IPP04N03LA
SI4435DYTR
BSP130,115
BSP130,115
$0 $/Stück

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