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R8009KNXC7G

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HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A

R8009KNXC7G Technisches Datenblatt

nicht konform

R8009KNXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.36000 $4.36
500 $4.3164 $2158.2
1000 $4.2728 $4272.8
1500 $4.2292 $6343.8
2000 $4.1856 $8371.2
2500 $4.142 $10355
1985 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 59W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTN200N10T
IXTN200N10T
$0 $/Stück
DIT100N10
STB28NM60ND
STD3N80K5
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$0 $/Stück
FDT86113LZ
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$0 $/Stück
HUF75545S3ST
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$0 $/Stück
SI4434ADY-T1-GE3
IXTH160N15T
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DN3145N8-G
STP24N60M6
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