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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 12 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.5V, 4.5V |
rds ein (max) @ id, vgs | 42mOhm @ 3.5A, 4.5V |
vgs(th) (max) @ ID | 1V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 4.5 V |
vgs (max) | -8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 2700 pF @ 6 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TUMT6 |
Paket / Koffer | 6-SMD, Flat Leads |
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