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RS1G150MNTB

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MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

RS1G150MNTB Technisches Datenblatt

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RS1G150MNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.35235 -
5,000 $0.34020 -
2500 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 930 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

STD16NF06LT4
IRF40DM229
FQU2N80TU
MMSF3P02HDR2G
MMSF3P02HDR2G
$0 $/Stück
NTD110N02RG
NTD110N02RG
$0 $/Stück
SQJQ466E-T1_GE3
NTLJS3A18PZTXG
NTLJS3A18PZTXG
$0 $/Stück

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