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SQJQ466E-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8

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SQJQ466E-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.32189 -
6,000 $1.27602 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10210 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
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Zugehörige Teilenummer

NTLJS3A18PZTXG
NTLJS3A18PZTXG
$0 $/Stück
SI2325DS-T1-BE3
R5009ANX
R5009ANX
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IXFP102N15T
IXFP102N15T
$0 $/Stück
RM2312
RM2312
$0 $/Stück
IXFT40N85XHV
IXFT40N85XHV
$0 $/Stück
BUK7Y12-100EX
DMN3066LQ-13
DMN2015UFDE-7

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