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RS1G180MNTB

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RS1G180MNTB

MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP

RS1G180MNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1G180MNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.56000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1293 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

NVMFWS016N06CT1G
NVMFWS016N06CT1G
$0 $/Stück
IXFH20N85X
IXFH20N85X
$0 $/Stück
IRF9Z14STRLPBF
DN2535N3-G
EFC4612R-S-TR
EFC4612R-S-TR
$0 $/Stück
BSS84-HF
BSS84-HF
$0 $/Stück
IXFH22N50P
IXFH22N50P
$0 $/Stück
SIHP052N60EF-GE3

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