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RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

compliant

RSM002P03T2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.13195 -
16,000 $0.12740 -
16000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 30 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

PMPB25ENEA115
CSD18543Q3A
CSD18543Q3A
$0 $/Stück
DMT4008LFV-7
HUF75329D3S
RM4P30S6
RM4P30S6
$0 $/Stück
NVMFS5C645NLWFAFT3G
NVMFS5C645NLWFAFT3G
$0 $/Stück
BS170-D27Z
BS170-D27Z
$0 $/Stück
STD45P4LLF6AG

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