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RU1C002UNTCL

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MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F

compliant

RU1C002UNTCL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06440 -
6,000 $0.05600 -
15,000 $0.04760 -
30,000 $0.04480 -
75,000 $0.04200 -
150,000 $0.03920 -
6 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 2.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket UMT3F
Paket / Koffer SC-85
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