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RV4E031RPHZGTCR1

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MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W

nicht konform

RV4E031RPHZGTCR1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
2960 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.8 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Lieferantengerätepaket DFN1616-6W
Paket / Koffer 6-PowerWFDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN6075S-7
FDS8842NZ
FDS8842NZ
$0 $/Stück
FCH070N60E
FCH070N60E
$0 $/Stück
BUK9Y22-30B,115
IXTQ480P2
IXTQ480P2
$0 $/Stück
FQPF8N90C
NTD25P03LT4G
NTD25P03LT4G
$0 $/Stück
IRL60S216

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