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RV8C010UNHZGG2CR

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MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W

nicht konform

RV8C010UNHZGG2CR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
5970 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 40 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN1010-3W
Paket / Koffer 3-XFDFN
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