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AOTF11S65L

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AOTF11S65L

MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F

AOTF11S65L Technisches Datenblatt

compliant

AOTF11S65L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.28000 $2.28
10 $2.07400 $20.74
100 $1.70000 $170
500 $1.36000 $680
1,000 $1.15600 -
3,000 $1.12200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 399mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 646 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQD3P50TM-AM002BLT
FQD3P50TM-AM002BLT
$0 $/Stück
IRF135SA204
SIR626DP-T1-RE3
RD3P200SNTL1
DMG302PU-13
FDP3682
FDP3682
$0 $/Stück
DMN1019USN-13
R6007KNX
R6007KNX
$0 $/Stück

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