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SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

SIR626DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8

compliant

SIR626DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.96289 -
6,000 $0.92948 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 7.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5130 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

RD3P200SNTL1
DMG302PU-13
FDP3682
FDP3682
$0 $/Stück
DMN1019USN-13
R6007KNX
R6007KNX
$0 $/Stück
PSMN0R9-25YLC,115
IXFH230N10T
IXFH230N10T
$0 $/Stück
DN1509K1-G
IRFL014TRPBF
IRFL014TRPBF
$0 $/Stück
STP7N80K5
STP7N80K5
$0 $/Stück

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