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RZF020P01TL

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MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

RZF020P01TL Technisches Datenblatt

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RZF020P01TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.16585 -
6,000 $0.15515 -
15,000 $0.14980 -
2706 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 770 pF @ 6 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TUMT3
Paket / Koffer 3-SMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

FDMC86570L
FDMC86570L
$0 $/Stück
STP130N8F7
STP130N8F7
$0 $/Stück
SI7230DN-T1-E3
NTD6N40
NTD6N40
$0 $/Stück
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX

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