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SI7230DN-T1-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

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SI7230DN-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.68880 -
6,000 $0.65646 -
15,000 $0.63336 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTD6N40
NTD6N40
$0 $/Stück
IRL540NPBF
BUK9M19-60EX
SI7623DN-T1-GE3
NVTFS005N04CTAG
NVTFS005N04CTAG
$0 $/Stück
R5007ANX
R5007ANX
$0 $/Stück
SI2301CDS-T1-BE3

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