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SH8J31GZETB

SH8J31GZETB

SH8J31GZETB

60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

SH8J31GZETB Technisches Datenblatt

compliant

SH8J31GZETB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.69020 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.5A
rds ein (max) @ id, vgs 70mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

US6K1TR
US6K1TR
$0 $/Stück
DMN2991UDJ-7A
FDS8958B
FDS8958B
$0 $/Stück
MCH6631-TL-E-SY
MCH6631-TL-E-SY
$0 $/Stück
NVMFD5877NLT3G
NVMFD5877NLT3G
$0 $/Stück
DMC31D5UDJ-7B
EPC2106
EPC2106
$0 $/Stück

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