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SH8M4TB1

SH8M4TB1

SH8M4TB1

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

SH8M4TB1 Technisches Datenblatt

compliant

SH8M4TB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.75740 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A, 7A
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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