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SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB

SP8M3HZGTB

30V NCH+PCH POWER MOSFET. SP8M3H

SP8M3HZGTB Technisches Datenblatt

compliant

SP8M3HZGTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.63000 $1.63
500 $1.6137 $806.85
1000 $1.5974 $1597.4
1500 $1.5811 $2371.65
2000 $1.5648 $3129.6
2500 $1.5485 $3871.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta), 4.5A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 230pF @ 10V, 850pF @ 10V
Leistung - max. 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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