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SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB

SP8M4HZGTB

30V DUAL NCH+PCH POWER MOSFET. S

SP8M4HZGTB Technisches Datenblatt

compliant

SP8M4HZGTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.55000 $2.55
500 $2.5245 $1262.25
1000 $2.499 $2499
1500 $2.4735 $3710.25
2000 $2.448 $4896
2500 $2.4225 $6056.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta), 7A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Leistung - max. 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

FDC6561AN-NB5S007A
FDC6561AN-NB5S007A
$0 $/Stück
2SK3618-TL-E
2SK3618-TL-E
$0 $/Stück
NTUD3129PT5G
NTUD3129PT5G
$0 $/Stück
SQJB60EP-T2_GE3
EFC3C001NUZTCG
EFC3C001NUZTCG
$0 $/Stück

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