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2SK3199

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MOSFET N-CH 500V 5A TO220F

2SK3199 Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 650 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI3424CDV-T1-BE3
ON5441518
ON5441518
$0 $/Stück
SUM70101EL-GE3
APT43F60B2
IXFN52N100X
IXFN52N100X
$0 $/Stück
IRLR014PBF
IRLR014PBF
$0 $/Stück
G15N10C
G15N10C
$0 $/Stück

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